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      漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      550

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      530

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      580

      最（zuì）大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

      8

      通道极性：

      N沟道（dào）

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描（miáo）述（shù）：

      550V,580mΩ,8A,N沟道基（jī）于超级结技术（shù）的功率MOSFET


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